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一种TBC电池结构的制备方法 

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申请/专利权人:常州时创能源股份有限公司

摘要:本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种TBC电池结构的制备方法,包括如下步骤:在双面抛光硅片背面形成P型掺杂多晶硅层;按图案在背面先定义出P+区域,对P型掺杂多晶硅层以第一激光处理去除非P+区域的BSG层,然后碱抛光处理去除非P+区域至露出硅片形成栅线状P+区域;在栅线状P+区域所在的整面形成N型掺杂多晶硅层,然后整面覆盖掩膜,对非P+区域以第二激光处理使掩膜固化耐碱制绒,后续制绒即可获得预制电池结构:正面金字塔绒面,且背面为P+区域、间隙区域、N+区域、间隔区域交替排列状;后续进行镀膜、金属化制程获得TBC电池结构。本发明方法能够提升电池效率,隔绝漏电,提升电池良率。

主权项:1.一种TBC电池结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供双面抛光硅片,在所述硅片的背面形成P型掺杂多晶硅层;S2、按照图案对具有P型掺杂多晶硅层的硅片背面先定义出P+区域,先对P型掺杂多晶硅层以第一激光处理去除非P+区域的BSG层,然后碱抛光处理去除非P+区域至露出硅片,以此形成栅线状P+区域;S3、对具有栅线状P+区域的整个表面形成N型掺杂多晶硅层,然后整面覆盖掩膜,对具有掩膜的非P+区域进行第二激光处理使掩膜固化耐碱制绒,然后进行制绒,从而获得预制电池结构:正面为金字塔绒面,且背面具有P+区域、N+区域和间隙区域,其中P+区域、N+区域呈指交叉状交替排列,且间隙区域分布在P+区域和N+区域之间;S4、以所得预制电池结构为基础进行镀膜、金属化制程,获得TBC电池结构。

全文数据:

权利要求:

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