龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlNGaNMIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比IonIoff，以及降低亚阈值摆幅SS。
主权项：1.一种基于ScAlN介质层的InAlNGaNMIS-HEMT，其特征在于，包括自下而上依次设置的SiC衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层；GaN帽层上设置有源电极和漏电极；ScAlN介质层上设置有栅电极，且栅电极位于源电极和漏电极的中间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号