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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开一种基于GaNSBD和GaAsPIN两类器件的单片集成限幅器及其制造方法，单片集成限幅器包括衬底，衬底上设有GaNSBD器件和第一键合功能层，第一键合功能层上表面从下到上依次设有第二键合功能层、GaAsPIN器件和微带线，GaNSBD器件上设有微带线；单片集成限幅器为多级限幅电路，其中，末级对管采用GaNSBD器件，其余每一级对管均采用GaAsPIN器件。本发明有效降低限幅门限电平、缩短响应时间、提高限幅器的频率响应能力和防止中小功率烧毁；末级对管采用GaNSBD进一步提高限幅芯片整体的功率容量；具有大幅提升限幅器的散热能力、进一步提高耐功率性能的技术优势。
主权项：1.一种基于GaNSBD和GaAsPIN两类器件的单片集成限幅器，其特征在于：所述单片集成限幅器包括衬底，所述衬底上设有GaNSBD器件和第一键合功能层，所述第一键合功能层的上表面从下到上依次设有第二键合功能层、GaAsPIN器件和微带线，所述GaNSBD器件上设有微带线；所述单片集成限幅器为多级限幅电路，其中，末级对管采用GaNSBD器件，其余每一级对管均采用GaAsPIN器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于GaN SBD和GaAs PIN两类器件的单片集成限幅器及其制造方法
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