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申请/专利权人:山东大学
摘要:本发明涉及一种高功率增益截止频率的InAlNGaNHEMT及其制备方法,InAlNGaNHEMT包括Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层;GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极,且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间,双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽,两个栅根平行设置在栅帽的下方,且栅根设置在GaN帽层上。本申请提供的双栅根型栅结构可以支撑更大的栅帽,增大栅极面积,降低器件的栅电阻,提高InAlNGaNHEMT的开关电流比,抑制漏致势垒降低效应,提高功率增益截止频率。
主权项:1.一种高功率增益截止频率的InAlNGaNHEMT,其特征在于,包括自下而上依次设置的Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层;GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极,且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间,所述双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽,两个栅根平行设置在栅帽的下方,且栅根设置在GaN帽层上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东大学 一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法
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