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申请/专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种GaNHEMT外延材料霍尔测试样品，所述霍尔测试样品自下向上依次包括衬底单元、GaNHEMT外延结构单元，所述GaNHEMT外延结构单元上表面的四个角处设置有电极区域，所述每个电极区域设置有多个凹槽，所述凹槽底部位于所述GaNHEMT外延结构单元的沟道层；还包括金属电极，对应设置在所述每个电极区域，所述金属电极覆盖所述凹槽。通过ICP干法刻蚀在电极区域形成多个凹槽后，可以增加后续沉积的金属电极同GaNHEMT外延层的接触面积，从而降低接触电阻，使测量结果更加准确。
主权项：1.一种GaNHEMT外延材料霍尔测试样品，所述霍尔测试样品自下向上依次包括衬底单元、GaNHEMT外延结构单元，所述GaNHEMT外延结构单元上表面的四个角处设置有电极区域，其特征在于，所述每个电极区域设置有多个凹槽，所述凹槽底部位于所述GaNHEMT外延结构单元的沟道层；还包括金属电极，对应设置在所述每个电极区域，所述金属电极覆盖所述凹槽；所述电极区域形成的方法包括：第一次光刻，在所述GaNHEMT外延结构上表面涂覆第一光刻胶层，照射所述第一光刻胶层，使用显影剂去除曝光过的所述第一光刻胶层，在所述GaNHEMT外延结构单元上表面的四个角处形成待刻蚀区域；通过ICP干法刻蚀，将所述每个待刻蚀区域刻蚀出多个凹槽；对所述GaNHEMT外延材料清洗，去除刻蚀产物和残留的所述第一光刻胶层；第二次光刻，在所述GaNHEMT外延材料上表面涂覆第二光刻胶层，照射所述第二光刻胶层，使用显影剂去除曝光过的所述第二光刻胶层，在所述GaNHEMT外延结构上表面的四个角处形成电极区域。
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权利要求：
百度查询： 苏州汉骅半导体有限公司 一种GaN HEMT外延材料霍尔测试样品及其制备方法
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