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申请/专利权人：广东致能科技有限公司
摘要：本发明涉及一种HEMT器件、HEMT器件栅极场板结构及其制造方法，所述制造方法包括：在外延层上提供栅极场板介质层；自所述栅极场板介质层上表面的第一区域向下蚀刻所述栅极场板介质层至所述外延层以得到栅极形成区，所述栅极形成区的底部区域曝露所述外延层；提供栅极介质层以包覆所述栅极形成区的内表面，所述内表面包括底部区域及包括一个或多个栅极场板介质台阶的侧壁；以及在内表面包覆了栅极介质层的栅极形成区提供栅极材料得到一个或多个栅极层。本发明实施例解决了沉积及蚀刻栅极场板介质时对栅极介质的损伤问题，降低了对外延层的损伤，提高了栅极场板介质质量，从而提高了HEMT器件性能。
主权项：1.一种HEMT器件栅极场板结构的制造方法，包括：在外延层上提供栅极场板介质层；自所述栅极场板介质层上表面的第一区域向下蚀刻所述栅极场板介质层至所述外延层以得到栅极形成区，所述栅极形成区的侧壁包括一个或多个在蚀刻时得到的栅极场板介质台阶，所述栅极形成区的底部区域曝露所述外延层；提供栅极介质层以包覆所述栅极形成区的内表面，所述内表面包括底部区域及包括一个或多个栅极场板介质台阶的侧壁；以及在内表面包覆了栅极介质层的栅极形成区提供栅极材料得到一个或多个栅极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东致能科技有限公司 一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法
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