申请/专利权人：深圳大学

申请日：2022-06-09

公开（公告）日：2024-05-24

公开（公告）号：CN115000195B

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/109;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.24#授权;2022.09.20#实质审查的生效;2022.09.02#公开

摘要：本发明公开一种直流光电探测器及其制备方法，直流光电探测器包括：周期性极化的铁电基底，所述周期性极化的铁电基底包括多个极化周期，每个极化周期内包括极化方向相反的两个极化畴；过渡金属硫族化合物层，所述过渡金属硫族化合物层设置在所述周期性极化的铁电基底上；两个叉指电极，所述两个叉指电极相对设置在所述过渡金属硫族化合物层上，所述两个叉指电极的叉指在所述周期性极化的铁电基底上的投影分别位于所述周期性极化的铁电基底上极化方向相反的极化畴区域内。本发明提供的直流光电探测器光响应度高、光响应速度快、能够进行宽波段响应。

主权项：1.一种直流光电探测器，其特征在于，包括：周期性极化的铁电基底，所述周期性极化的铁电基底包括多个极化周期，每个极化周期内包括极化方向相反的两个极化畴；过渡金属硫族化合物层，所述过渡金属硫族化合物层设置在所述周期性极化的铁电基底上；两个叉指电极，所述两个叉指电极相对设置在所述过渡金属硫族化合物层上，所述两个叉指电极的叉指在所述周期性极化的铁电基底上的投影分别位于所述周期性极化的铁电基底上极化方向相反的极化畴区域内；所述铁电基底的材料选自铌酸锂、钛酸钡、铁酸铋中的一种；所述每个极化周期内极化方向相反的两个极化畴为极化方向相反的两个宽度相等的长方体极化畴，所述宽度为40~80μm；所述铁电基底的厚度为50~200μm；所述过渡金属硫族化合物选自MoS2、WS2、WSe2、MoSe2、SnS、SnSe、InSe中的至少一种；所述MoS2、WS2、WSe2、MoSe2为单层结构，所述单层的厚度为0.6~1.5nm；所述SnS、SnSe、InSe为多层结构，其中，1~10层的厚度为0.6~10nm；所述两个叉指电极的厚度均为10~120nm，所述两个叉指电极的叉指的宽度均为20~40μm，所述两个叉指电极的相邻叉指间隔均为30~120μm；所述直流光电探测器的制备方法包括步骤：提供周期性极化的铁电基底，所述周期性极化的铁电基底包括多个极化周期，每个极化周期内包括极化方向相反的两个极化畴；对所述周期性极化的铁电基底进行等离子体表面活化，得到活化后的周期性极化的铁电基底；在所述活化后的周期性极化的铁电基底上形成过渡金属硫族化合物层；在所述过渡金属硫族化合物层上相对设置两个叉指电极，使得所述两个叉指电极的叉指在所述周期性极化的铁电基底上的投影分别位于所述周期性极化的铁电基底上极化方向相反的极化畴区域内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 一种直流光电探测器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD