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申请/专利权人：北京工业大学

摘要：本发明提供一种间隔栅SiCMOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层CSL；电流扩展层CSL位于N‑漂移区的上表面；P‑base区位于所述电流扩展层CSL的上表面；P‑plus区，N‑sourse区位于所述P‑base区的上表面，并相互并排；多晶硅真栅氧位于部分N‑source区、P‑base区、电流扩展层的上表面；多晶硅假栅氧位于部分P‑base区、电流扩展层的上表面；多晶硅真栅位于多晶硅真栅氧的上表面，多晶硅假栅位于多晶硅假栅氧的上表面；隔离氧位于多晶硅真栅的上表面。本发明使器件功耗大大降低，有效抑制双极性退化问题，还具有优良的栅电容特性、反向恢复特性。

主权项：1.一种间隔栅SiCMOSFET结构，其特征在于，包括：N-漂移区3；N+漏极区2，位于所述N-漂移区3的下表面；漏极金属区1，位于所述N+漏极区2的下表面；电流扩展层CSL4，位于所述N-漂移区3的上表面；P-base区分为左中右三部分，左侧P-base区5-1、中部P-base区5-2、右侧P-base区5-3，均位于所述电流扩展层CSL4的上表面；N-source区分为左侧N-source区6-1和右侧N-source区6-2，左侧N-source区6-1位于左侧P-base区5-1的上表面，右侧N-source区6-2位于中侧P-base区5-2的上表面；P-plus区分为左中右三部分，左侧P-plus区7-1、中部P-plus区7-2、右侧P-plus区7-3，左侧P-plus区7-1位于左侧P-base区5-1的上表面和左侧N-source区6-1的左侧，中部P-plus区7-2位于中部P-base区5-2的上表面以及右侧N-source区6-2的右侧，右侧P-plus区7-3位于右侧P-base区5-3的上表面；多晶硅栅分为两部分，多晶硅真栅8、多晶硅假栅13；栅氧也分为两部分，多晶硅真栅氧9、多晶硅假栅氧12，多晶硅真栅氧9位于多晶硅真栅8的下侧，位于部分左侧N-source区6-1、左侧P-base区5-1、电流扩展层CSL4及右侧N-source区6-2的上表面；多晶硅假栅氧12位于多晶硅假栅13的下侧，位于中侧P-base区5-2、电流扩展层CSL4、右侧P-base区5-3的上表面；隔离氧11位于多晶硅真栅8和部分多晶硅真栅氧9的上表面；源极金属层10，位于左侧P-plus区7-1、部分左侧N-source区6-1、隔离氧11、部分右侧N-source区6-2、中部P-plus区7-2、部分中部P-base区5-2、多晶硅假栅13、部分右侧P-base区5-3、右侧P-plus区7-3的上表面。

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权利要求：

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