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申请/专利权人:安徽格恩半导体有限公司
摘要:本发明提供了一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件,涉及半导体光电器件技术领域,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层,上限制层的上方设有弗兰克尔缺陷层;弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方,弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方,诱导产生化学键合界面和第二相共格界面,调节界面能带弯曲、过电位和界面声子散射,产生界面电荷转移,对氢原子进行高效脱附,形成H2排出表面,提升上限制层的p型掺杂元素的离化率并降低掺杂元素的受主激活能,提升上限制层的空穴浓度,提升空穴注入有源层的效率和输运效率,提升激光元件的峰值增益和斜率效率。
主权项:1.一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102,有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106,其特征在于:上限制层106的上方设有弗兰克尔缺陷层107。
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权利要求:
百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件
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