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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体电路和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112585679B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980054649.2，技术领域涉及：G11C14/00；该发明授权半导体电路和电子设备是由神田泰夫设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电路和电子设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体电路设置有：第一电路，生成第一节点处的电压的反相电压，并将该反相电压施加到第二节点；第二电路，生成第二节点处的电压的反相电压，并将该反相电压施加到第一节点；第一存储元件，具有第一端子、第二端子和第三端子，并且通过依据在第一端子与第二端子之间流动的第一电流的方向将第二端子与第三端子之间的电阻状态设定为第一电阻状态或第二电阻状态来存储信息；第一晶体管，当处于导通状态时将第一节点耦接到第一存储元件的第三端子；以及第二晶体管，耦接到作为第一节点和第二节点中的一个的第一耦接节点，并基于第一耦接节点处的电压使第一电流流到第一存储元件的第二端子。

本发明授权半导体电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体电路，包括：第一电路，被配置为生成第一节点处的电压的反相电压，并且将该反相电压施加到第二节点；第二电路，被配置为生成所述第二节点处的电压的反相电压，并且将该反相电压施加到所述第一节点；第一存储元件，具有第一端子、第二端子和第三端子，并且包括磁阻元件并且被配置为能够通过依据在所述第一端子与所述第二端子之间流动的第一电流的方向将所述第二端子与所述第三端子之间的电阻状态设定为第一电阻状态或第二电阻状态来存储信息，其中在所述第一存储元件中，所述第一电流不直接通过所述磁阻元件，而是通过与所述磁阻元件相邻的布线，这使得能够设定所述磁阻元件中的电阻值的状态，并且在所述第一端子与所述第三端子之间以及在所述第二端子与所述第三端子之间没有电流流动，并且电流不通过所述磁阻元件本身；第一晶体管，被配置为能够通过被接通而将所述第一节点耦接到所述第一存储元件的所述第三端子；以及第二晶体管，能够耦接到第一耦接节点，并且被配置为能够基于所述第一耦接节点处的电压使得所述第一电流流到所述第一存储元件的所述第二端子，所述第一耦接节点是所述第一节点和所述第二节点中的一个。

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