恭喜铠侠股份有限公司关春海获国家专利权
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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110214726.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体存储装置是由关春海;斋藤真澄设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种动作稳定的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1栅极电极层，在第1方向上延伸；第2栅极电极层，在第1方向上延伸，在与第1方向交叉的第2方向上与第1栅极电极层隔开；半导体层，设置于第1栅极电极层与第2栅极电极层之间，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；以及介电层，包围半导体层，含有铪及锆的至少任一个与氧，且包含设置于第1栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第1区域、设置于第2栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第2区域、及设置于第1区域与第2区域之间且以斜方晶系及三方晶系的结晶以外作为主要构成物质的第3区域。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1栅极电极层，在第1方向上延伸；第2栅极电极层，在所述第1方向上延伸，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1栅极电极层隔开而设；半导体层，设置于所述第1栅极电极层与所述第2栅极电极层之间，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；以及介电层，包围所述半导体层，含有铪及锆的至少任一个与氧，且包含：设置于所述第1栅极电极层与所述半导体层之间、且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第1区域、设置于所述第2栅极电极层与所述半导体层之间、且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第2区域、及设置于所述第1区域与所述第2区域之间、且以斜方晶系及三方晶系的结晶以外作为主要构成物质的第3区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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