恭喜福建中科光芯光电科技有限公司薛正群获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建中科光芯光电科技有限公司申请的专利光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110475557.0，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法是由薛正群;黄惠莺;张长平;林泽磊;方瑞禹;苏辉设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法，通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上采用N‑InAlGaAs取代常规的N‑InAlAs电子阻挡层，降低电子从N型进入量子阱的势垒，降低阈值；采用超晶格结构量子垒取代单层垒层结构改善重空穴在量子阱中的输运；并在材料结构上进行调整，实现可靠性良好的硅衬底光通信用O波段高直调速率半导体激光芯片。
本发明授权光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：其外延层包括在Si衬底上依次形成的：N-GaP缓冲层、N-GaAs缓冲层、N-InP缓冲层、N-InAlGaAs过渡层、InAlGaAs下波导层、InAlGaAs下分别限制层、InGaAlAs应变多量子阱和垒、InAlGaAs上分别限制层、P-InAlAs电子阻挡层、P-InP间隔层、P-InGaAsP光栅层、P-InP光栅盖层、P-InGaAsP腐蚀停止层、P-InP空间层、P-InGaAsP过渡层、P-InGaAs电接触层以及掺杂Fe的绝缘InP层；芯片前后出光端面解离在再生长区域，再生长区域填充有再生长形成的P-InP层、N-InGaAsP层和P-InP层；在所述InGaAlAs应变多量子阱和垒中，垒层由3层2nmInGaAlAs垒和2层2nmInGaAlAs阱超晶格结构组成。
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