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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利双向可控硅整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110200794.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权双向可控硅整流器是由刘俊杰;杜飞波;何青松设计研发完成，并于2021-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向可控硅整流器在说明书摘要公布了：本发明提供一种双向可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的阱区、浅沟槽隔离结构、第一导电型的六个重掺杂区、第二导电型的六个重掺杂区以及第一导电型的四个静电放电ESD注入层。在所述阱区中有并排的四个有源区，且中间有源区内有正向与反向的可控硅整流器以及所述ESD注入层，两侧有源区内有正向与反向的二极管，且在所述可控硅整流器与所述二极管之间设置有与第一导电型的ESD注入层接触的第一导电型的重掺杂区，使所述二极管的第二导电型的重掺杂区与前述第一导电型的重掺杂区电连接，因此整个双向可控硅整流器可增加两条由正向与反向二极管构成的低压辅助触发通路，以大幅降低双向可控硅整流器在正向和反向工作模式下的触发电压。

本发明授权双向可控硅整流器在权利要求书中公布了：1.一种双向可控硅整流器，其特征在于，包括：第一导电型的衬底；第二导电型的阱区，形成在所述衬底内；浅沟槽隔离结构，形成在所述衬底内，且在所述阱区中分隔出并排的第一有源区、第二有源区、第三有源区与第四有源区；第一导电型的第一重掺杂区、第二导电型的第一重掺杂区、第一导电型的第二重掺杂区以及第一导电型的第一ESD注入层，设置在所述第二有源区内，其中所述第二导电型的第一重掺杂区位於所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第一ESD注入层设置在所述第二导电型的第一重掺杂区、所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第一重掺杂区与所述第二导电型的第一重掺杂区电连接；第一导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第二重掺杂区、第一导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第二ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第三有源区内，其中所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第一导电型的第一重掺杂区相邻，所述第二导电型的第二重掺杂区位於所述第一导电型的第三重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第二ESD注入层设置在所述第一导电型的第三重掺杂区、所述第二导电型的第二重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第二导电型的第二重掺杂区电连接；第一导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第三ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第一有源区内，其中所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区相接触并且与所述第二导电型的第四重掺杂区分隔一距离，所述第一导电型的第三ESD注入层设置在第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区电连接，所述第二导电型的第四重掺杂区与所述第一导电型的第二重掺杂区电连接；以及第一导电型的第六重掺杂区、第二导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第六重掺杂区以及第一导电型的第四ESD注入层，设置在与所述第三有源区相邻的所述第四有源区内，其中所述第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第五重掺杂区相接触并且与所述第二导电型的第六重掺杂区分隔一距离，所述第一导电型的第四ESD注入层设置在第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第六重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第六重掺杂区与所述第二导电型的第五重掺杂区电连接，所述第二导电型的第六重掺杂区与所述第一导电型的第四重掺杂区电连接。

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