恭喜三星显示有限公司闵正泓获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利发光元件和包括其的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113454784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092656.1，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权发光元件和包括其的显示装置是由闵正泓;金大贤;金东旭;赵显敏;金世咏;李昇我;车炯来设计研发完成，并于2019-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件和包括其的显示装置在说明书摘要公布了：一种发光元件可以包括发射堆叠图案，发射堆叠图案包括在一个方向上堆叠的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层。这里，活性层可以包括在发射堆叠图案的纵向方向上与第一导电半导体层接触的第一表面以及与第二导电半导体层接触并同时与第一表面相对的第二表面。第一导电半导体层可以包括至少一个n型半导体层，并且第二导电半导体层可以包括至少一个p型半导体层。此外，活性层的第一表面在发射堆叠图案内在发射堆叠图案的纵向方向上可以位于与从发射堆叠图案的总长度的一半起偏离‑20％至+20％的范围对应的点处。
本发明授权发光元件和包括其的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，所述发光元件包括：发射堆叠图案，包括在一个方向上顺序地堆叠的第一半导体层、活性层、第二半导体层和电极层，其中，所述活性层包括在所述发射堆叠图案的纵向方向上与所述第一半导体层接触的第一表面以及与所述第一表面相对并与所述第二半导体层接触的第二表面，其中，所述第一半导体层包括至少一个n型半导体层，并且所述第二半导体层包括至少一个p型半导体层，其中，所述活性层的所述第一表面在所述发射堆叠图案内在所述发射堆叠图案的所述纵向方向上位于与从所述发射堆叠图案的总长度的一半起偏离-20%至+20%的范围对应的点处，并且其中，在所述发射堆叠图案的所述纵向方向上，所述电极层比所述第二半导体层厚，并且其中，在所述发射堆叠图案的所述纵向方向上，所述电极层比所述第一半导体层薄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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