恭喜美光科技公司杉冈繁获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利半导体装置和其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110457365.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置和其形成方法是由杉冈繁;山口秀范;川北惠三;徐邦宁设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置和其形成方法。一种半导体装置包含半导体衬底；和多层级布线结构，其处于所述半导体衬底上，所述多层级布线结构至少包含处于所述半导体衬底上方的中间金属层和处于所述中间金属层上方的最上部金属层，且所述多层级布线结构划分成主电路部分和环绕所述主电路部分的切划部分；其中所述多层级布线层的所述切划部分至少包含所述中间金属层中暴露的金属衬垫。
本发明授权半导体装置和其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：半导体衬底；和多层级布线结构，其处于所述半导体衬底上，所述多层级布线结构至少包含处于所述半导体衬底上方的中间金属层和处于所述中间金属层上方的最上部金属层，且所述多层级布线结构划分成主电路部分和环绕所述主电路部分的切划部分；其中所述多层级布线结构的所述切划部分至少包含所述中间金属层中暴露的金属衬垫，和其中所述最上部金属层是重布层，和所述金属衬垫不被所述重布层覆盖。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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