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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112204726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980034476.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置是由白川彻设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：有源区1具有分别配置有主IGBT20和感测IGBT30的第一单元区2、第二单元区3。第二单元区3具有配置有感测IGBT30的检测区域4和包围检测区域4的周围的提取区域5。在提取区域5中的半导体基板7上配置有与包含多晶硅的感测IGBT30连结的电阻部17。与感测IGBT30连结的电阻部17具有与感测IGBT30的栅电极连接的第一部分17a、以及将第一部分17a连结于栅极流道15的第二部分17b，并且构成第二部分17b的电阻值为10Ω以上且5000Ω以下的内置电阻。由此，能够改善包含感测IGBT30的电流感测部的ESD耐量的提高与瞬态感测电压的降低之间的权衡关系。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：有源区，其设置于半导体基板；以及终端区，其设置于所述半导体基板，并且包围所述有源区的周围，所述有源区包括：第一单元区，其配置有第一绝缘栅双极型晶体管；以及第二单元区，其与所述第一单元区邻接地配置，所述第二单元区包括：第一区域，其配置有面积比所述第一绝缘栅双极型晶体管的面积小的第二绝缘栅双极型晶体管；以及第二区域，其将所述第一单元区与所述第一区域分离，所述第二区域包括：第一栅电极层，其隔着氧化膜而设置在所述半导体基板上；以及所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射电极，其隔着层间绝缘膜而设置在所述第一栅电极层上，所述终端区具备栅极流道，所述栅极流道隔着所述氧化膜而设置在所述半导体基板上，包围所述有源区的周围，并且与所述第一绝缘栅双极型晶体管的第一栅电极电连接，所述第一栅电极层具有：第一栅电极层部，其与所述第二绝缘栅双极型晶体管的第二栅电极电连接；以及第二栅电极层部，其在所述第二区域的内部具有从所述第一栅电极层部向所述栅极流道延伸的平面形状，且将所述第一栅电极层部与所述栅极流道电连接，所述第二栅电极层部的电阻值是10Ω以上且5000Ω以下。

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