恭喜株式会社国际电气渡桥由悟获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097563.8，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质是由渡桥由悟;女川靖浩;村上孝太郎;芳贺健佑设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：具有重复进行下述a和b的工序：a执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对衬底进行处理；和，b执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容衬底的经加热的状态的处理容器内供给清洁气体，并对处理容器内进行清洁，并且，将b结束后至开始a的时间设为a结束后至开始b的时间以下。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其包括重复进行下述a和b的工序：a执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对所述衬底进行处理；和，b执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容所述衬底的经加热的状态的所述处理容器内供给清洁气体，并对所述处理容器内进行清洁，将b结束后至开始a的时间设为小于a结束后至开始b的时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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