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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种具有壳核结构的氮化物功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111186920.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有壳核结构的氮化物功率半导体器件及其制备方法是由刘超;陈思豪设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有壳核结构的氮化物功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有壳核结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法。本发明器件包括：N型氮化镓衬底层；N型氮化镓漂移层，位于N型氮化镓衬底层上方的；N型氮化镓漂移层上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁设置有N型氮化镓环，N型氮化镓环上方设置有P型氮化镓区，N型氮化镓环和P型氮化镓区形成壳核结构；氧化层，P型氮化镓区外表面、N型氮化镓环暴露面、沟槽内壁暴露面设置有氧化层；金属电极层。本发明的结构设计能从本质上解决异质结附近电场聚集的问题从而提升器件的反向耐压能力，同时器件的正向导通电阻没有明显衰退现象，进一步展现了垂直型功率器件在高频、高功率器件领域实现商业化应用的巨大前景。

本发明授权一种具有壳核结构的氮化物功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有壳核结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件，包括：N型氮化镓衬底层；N型氮化镓漂移层，位于N型氮化镓衬底层上方的；N型氮化镓漂移层上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁设置有N型氮化镓环，N型氮化镓环上方设置有P型氮化镓区，N型氮化镓环和P型氮化镓区形成壳核结构；N型氮化镓环由底层以及侧壁组成，底层和侧壁垂直连接，底层覆盖沟槽底面并与沟槽底面面积相同，侧壁设置在沟槽侧壁上；底层的厚度为0.02-2μm；侧壁的厚度为0.1-0.3μm；侧壁的高度为1.5-2μm；N型氮化镓环的掺杂元素为硅，掺杂浓度为1e17-2e17cm-3；P型氮化镓区设置于N型氮化镓环底层的上方，且覆盖底层；P型氮化镓区的厚度为0.02-2μm；P型氮化镓区掺杂元素为镁离子，掺杂浓度范围为8e17cm-3；氧化层，P型氮化镓区外表面、N型氮化镓环暴露面、沟槽内壁暴露面设置有氧化层；金属电极层。

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