恭喜戴森技术有限公司M.伦德尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜戴森技术有限公司申请的专利用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089407.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备是由M.伦德尔;R.格鲁亚设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备在说明书摘要公布了：公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括布置成沿着弯曲路径引导基底的基底引导件和与基底引导件间隔开并布置成支撑靶材料的靶部分。靶部分和基底引导件在它们之间限定沉积区。该设备包括限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在沉积区中，从而在使用中提供将靶材料溅射沉积到基底卷材，限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在沉积区中基本沿着弯曲路径的曲线，从而将所述等离子体限制在弯曲路径的所述曲线周围。
本发明授权用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备，该设备包括：基底引导件，布置成沿着弯曲路径引导基底；靶部分，与基底引导件间隔开并布置成支撑靶材料，靶部分和基底引导件在它们之间限定沉积区；以及限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述一个或多个磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在沉积区中，从而在使用中提供靶材料到基底卷材的溅射沉积，限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在沉积区中基本沿着弯曲路径的曲线，从而将所述等离子体限制在弯曲路径的所述曲线周围，其中，一个或多个磁性元件采用螺线管的形式，该螺线管在使用中在与其内部产生的磁场线的方向基本垂直于的方向上是细长的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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