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龙图腾网恭喜派恩杰半导体(浙江)有限公司申请的专利终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110704971.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法是由陈欣璐;黄兴;张梓豪;隋金池;汪剑华;杨朝阳设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种终端有源区同设计SiC功率器件及其制备方法，涉及SiC功率器件领域，所述终端有源区同设计SiC功率器件中，形成所述元胞结构沟道的沟道注入区和终端区用于形成结终端的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成。通过在终端区和有源区采用相同的离子注入结构，解决了因图形区域密度不同导致的刻蚀侧墙角度不同而造成相应沟道离子注入时沟道尺寸不可控的问题。

本发明授权终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种终端有源区同设计的SiC功率器件，其特征在于，包括：第二导电类型碳化硅半导体基底，所述第二导电类型碳化硅半导体基底包括有源区和包围有源区的终端区，所述有源区具有若干元胞结构；用于形成所述元胞结构沟道的沟道注入区和用于形成终端区结终端的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成；当所述SiC功率器件元胞结构为碳化硅MOSFET，所述终端区为场限环，所述碳化硅MOSFET的具体结构包括：位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底有源区第一表面的栅极结构和覆盖所述栅极结构的栅源极间介质；位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底另一表面的漏极电极；位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底有源区内且位于栅极结构两侧的第一导电类型注入基区、第二类导电型注入源区和第一导电类型重注入体区，所述第一导电类型注入基区包围所述第二类导电型注入源区，所述第一导电类型注入基区和第二类导电型注入源区作为用于形成所述碳化硅MOSFET沟道的沟道注入区，第一导电类型重注入体区位于所述沟道注入区的底部；所述第一导电类型注入基区位于第二类导电型注入源区和第二导电类型碳化硅半导体基底之间且靠近栅极结构的位置作为碳化硅MOSFET的沟道；所述终端区的结构包括：若干条环状的位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底终端区内的第一导电类型终端注入区、第二导电类型终端注入区和第一导电类型终端重注入区；环状的第一导电类型终端注入区包围所述第二导电类型终端注入区，所述第一导电类型终端注入区和第二导电类型终端注入区作为结终端注入区，所述第一导电类型终端重注入区位于结终端注入区的底部；结终端注入区与沟道注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成；所述第一导电类型重注入体区与第一导电类型终端重注入区同时形成；当所述SiC功率器件元胞结构为碳化硅MOSFET，所述碳化硅MOSFET的具体结构包括：位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底有源区第一表面的栅极结构和覆盖所述栅极结构的栅源极间介质；位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底另一表面的漏极电极；位于所述第二导电类型碳化硅半导体基底有源区内且位于栅极结构两侧的第一导电类型注入基区和第二类导电型注入源区，所述第一导电类型注入基区包围所述第二类导电型注入源区，所述第一导电类型注入基区和第二类导电型注入源区作为用于形成所述碳化硅MOSFET沟道的沟道注入区，所述第一导电类型注入基区位于第二类导电型注入源区和第二导电类型碳化硅半导体基底之间且靠近栅极结构的位置作为碳化硅MOSFET的沟道，所述沟道注入区与终端区的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成；位于所述第二类导电型注入源区表面的源极电极。

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