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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049211.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法是由赵万辉;邓晓军设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室组件及半导体工艺设备及其方法，该工艺腔室组件中，在上腔体和下腔体之间设置有与上腔室连通的第一进气口和第一排气口，第一排气口用于与抽气装置连通；在下腔体的底部设置有多个第二排气口；工艺腔室组件还包括匀气结构和切换结构，匀气结构位于下腔体的外部，匀气结构具有匀气室，匀气室通过第二排气口与下腔室连通，在匀气结构上开设有与匀气室连通的第三排气口，第三排气口用于与抽气装置连通；切换结构用于选择性地将第一排气口和第三排气口中的一者与抽气装置连通。本发明的技术方案，可以在不进行腔室开腔维护的情况下有效去除沉积物。

本发明授权工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的工艺腔室组件，包括上腔体、下腔体和设置在所述上腔体和下腔体之间的用于承载晶圆的基座，所述上腔体和所述基座的承载面之间形成上腔室，所述下腔体与所述承载面之间形成下腔室，所述上腔室与所述下腔室连通，其特征在于，在上腔体和下腔体之间设置有与所述上腔室连通的第一进气口和第一排气口，所述第一排气口用于与抽气装置连通；在所述下腔体的底部设置有多个第二排气口；所述工艺腔室组件还包括匀气结构和切换结构，其中，所述匀气结构位于所述下腔体的外部，所述匀气结构具有匀气室，所述匀气室通过所述第二排气口与所述下腔室连通，在所述匀气结构上开设有与所述匀气室连通的第三排气口，所述第三排气口用于与所述抽气装置连通；所述切换结构用于选择性地将所述第一排气口和所述第三排气口中的一者与所述抽气装置连通；所述切换结构包括第一排气管路，所述第一排气管路的进气端与所述第一排气口连通，所述第一排气管路的出气端用于与所述抽气装置连通，且在所述第一排气管路上设置有第一通断阀。

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