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龙图腾网恭喜华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411620988.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种LDMOS器件及其制备方法是由于绍欣;赵斌;余威明;鲍明轩;陈荣盛设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括第一衬底、栅极、漏极、源极和场板区；其中，所述栅极和场板区设置于所述第一衬底上表面；所述栅极下方的第一衬底内形成沟道区，所述场板区下方部分的第一衬底内形成漂移区；所述源极设置于所述沟道区内；所述漏极设置于所述漂移区内；在所述沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，在所述漂移区与场板区接触位置设置有锯齿结构。本发明提供的一种LDMOS器件，通过在沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，同时在漂移区与场板区接触位置设置锯齿结构，可以对LDMOS器件的电场进行调控，使得器件内部电场分布更为均匀，同时可以有效降低电场峰值，提高器件耐压性能。

本发明授权一种LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，包括第一衬底、栅极、漏极、源极和场板区；其中，所述栅极和场板区设置于所述第一衬底上表面；所述栅极下方的第一衬底内形成沟道区，所述场板区下方的第一衬底内形成漂移区；所述源极设置于所述沟道区内；所述漏极设置于所述漂移区内；在所述沟道区及漂移区下方设置阶梯型埋氧结构，所述阶梯型埋氧结构包括相连的第一埋氧层和第二埋氧层；所述第一埋氧层设置于所述沟道区下方，所述第二埋氧层设置于所述漂移区下方，所述第一埋氧层和第二埋氧层的连接部分设有倾角；在所述漂移区与场板区接触位置设置有锯齿结构；所述锯齿结构包括若干个具备一定倾角的V型沟槽，若干个所述V型沟槽的深度由源极至漏极方向依次变浅；所述栅极上设置有第一多晶结构；所述场板区上设置有第二多晶结构。

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