恭喜无锡学院杨成东获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡学院申请的专利一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111524546.3，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法是由杨成东;马文烨;苏琳琳;张见;陶旭设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。
本发明授权一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；（2）在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；（3）在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料升华预结晶生成母版,第一温度为170-180℃，加热时间为5-6分钟；其中，矩形生长空腔构建的方法为在下基板上放置两根间隔一定距离的银丝，并在银丝上覆盖一上基板；（4）在第二温度下，母版再结晶，即得,第二温度为140-150℃，加热时间为5-6分钟。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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