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摘要：本发明公开了一种高性能SRAM数据读出电路，包含未知锁存数据的存储阵列，已知锁存数据的存储单元和不对称灵敏放大器。当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，两根位线同时放电，其电压差很小，利用不对称灵敏放大器的失调电压读出数据；当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据相同时，一根位线维持高电平不变，另外一根位线在两个存储单元的作用下加速放电，两根位线的电压差迅速达到并超过灵敏放大器的失调电压，灵敏放大器可准确读出数据。第一种情况下字线打开即可进行检测，第二种情况下位线在两个存储单元的作用下加速放电，位线电压差快速达到灵敏放大器可检测出来的数值。本发明可改善SRAM读出性能，减少读延时。
主权项：1.一种SRAM数据读出电路，其特征在于，包含未知锁存数据的存储阵列1，已知锁存数据的存储单元2和不对称灵敏放大器3；未知锁存数据的存储阵列包括两根位线，并与已知锁存数据的存储单元的两根位线信号连接，与不对称灵敏放大器的两根位线信号连接；未知锁存数据的存储阵列用于存储数据，包括N个未知锁存数据的存储单元；已知锁存数据的存储单元用于存储数据，锁存数据已知；不对称灵敏放大器用于未知锁存数据的读出检测，检测存储阵列两根位线的电压差，输出检测数据；当待测存储阵列中未知锁存数据的存储单元的锁存数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，则两根位线同时放电，两根位线的电压差小于不对称灵敏放大器的失调电压，不对称灵敏放大器输出固定高电平，利用不对称灵敏放大器的失调电压读出数据，实现存储单元锁存数据的快速读出；当待测存储阵列中未知锁存数据的存储单元的锁存数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据相同时，则一根位线维持高电平不变，另外一根位线在两个存储单元的作用下加速放电，两根位线的电压差迅速达到并超过不对称灵敏放大器的失调电压，不对称灵敏放大器输出固定低电平，利用不对称灵敏放大器可准确读出数据，实现存储单元锁存数据的快速读出。
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百度查询： 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 一种高性能SRAM数据读出电路
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