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摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种10T‑SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片。10T‑SRAM单元由P1～P2和N1～N8构成。其中，P1、P2、N1～N4构成6T存储单元，剩余器件构成配置电路。N5和N6的栅极分别连接在6T存储单元中的存储节点Q和QB上；N7和N8的栅极分别接控制信号SL和SR；N5的漏极与N7的源极相连；N8的源极与N6的漏极相连；N5、N6的源极连接在传递信号线TL上，N7、N8的漏极连接在标志信号线ML上。将多个10T‑SRAM阵列排布，同行中相邻单元的TL和ML相连则构成双通道读与内容寻址的逻辑电路。本发明的电路同时具备数据存储，双通道数据读以及内容寻址功能；电路简单却功能强大，可以克服现有电路的效率和功耗缺陷。
主权项：1.一种10T-SRAM单元，其具有双通道数据读取以及内容寻址的功能，其特征在于，其由2个PMOS管P1～P2和8个NMOS管N1～N8构成；其中，P1、P2、N1～N4构成6T存储单元，并支持实现包含数据读、写、保持的数据存储功能；剩余的N5～N8构成配置电路，所述配置电路用于实现对6T存储单元中存储的数据进行内容查询，并提供另一个数据读取通道；其中，所述配置电路的电路连接关系如下：N5和N6的栅极分别连接在6T存储单元中的存储节点Q和QB上；N7和N8的栅极分别接控制信号SL和SR；N5的漏极与N7的源极相连；N8的源极与N6的漏极相连；N5、N6的源极连接在传递信号线TL上，N7、N8的漏极连接在标志信号线ML上。
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百度查询： 安徽大学 10T-SRAM单元、双通道读与内容寻址的逻辑电路及其芯片
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