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摘要：本发明公开一种SRAM阵列低功耗控制方法，属于SOC（SystemonChip）片上存储技术领域。根据场景需要决定SRAM阵列中哪些组被使用；同时对每组SRAM配置一个Ret模式监测模块进行监测控制；对使用中的每组SRAM，若Ret模式监测模块监测到其计数器达到计数最大值后没有新的访问发起，则将该组SRAM下电，将SRAM置于Ret模式，该组SRAM中数据保持；当新的访问发起时，Ret模式监测模块控制对应的SRAM打开电源、退出Ret模式然后再接收读写操作；对未被使用的每组SRAM直接置Shutdown模式不需要进入Ret模式监测模块进行监测控制。本发明解决大规模SRAM存储阵列中静态（漏电）功耗大的问题。
主权项：1.一种SRAM阵列低功耗控制方法，其特征在于包括：对每组SRAM配置一个Ret模式监测模块；根据场景需要决定SRAM阵列中哪些SRAM被使用；SOC系统对未被使用的每组SRAM直接置Shutdown模式，Ret模式监测模块对处于Shutdown模式的SRAM不进行监测；对使用中的每组SRAM，即不处于Shutdown模式的SRAM，Ret模式监测模块对其进行监测和判断：判断该组的SRAM是否被允许进入Ret模式；对于允许进入Ret模式的SRAM，使用Ret模式监测模块内部的计数器进行计数，若计数器未达到计数阈值时，外部发起对该组SRAM的访问，计数器清零重新计数；若Ret模式监测模块内部的计数器达到计数阈值后，仍没有新的访问发起，则将该组SRAM的VDDP供电关闭，即该组SRAM进入Ret模式，该组SRAM中数据保持；对于处于Ret模式中的SRAM，当新的访问发起时，Ret模式监测模块控制该组SRAM打开VDDP供电，即该组SRAM退出Ret模式，SRAM访问接口再对该组SRAM进行读写操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京轩宇信息技术有限公司 一种SRAM阵列低功耗控制方法
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