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摘要：本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
主权项：1.一种用于对间隔物轮廓进行再成形的方法，包括：在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯；在所述芯上方形成间隔物材料层；以及通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对所述间隔物材料层进行再成形并且使用一个或更多个蚀刻处理步骤，来形成与所述芯相邻的对称间隔物，所述对称间隔物具有对称的顶部部分并且包括附加间隔物材料，其中，所述对称间隔物通过以下处理形成：对所述间隔物材料层进行蚀刻以形成与所述芯相邻的不对称间隔物；利用所述一个或更多个定向沉积处理将附加间隔物材料沉积至所述间隔物的角部；以及利用所述一个或更多个蚀刻处理对所述附加间隔物材料进行蚀刻以留下与所述芯相邻的对称间隔物。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法
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