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摘要：在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，高频电源产生为了生成等离子体而被供给的高频电力。偏置电源向基板支承器的下部电极供给偏置电力。偏置电力在该周期内使基板的电位变动。高频电力在基板的电位相对较高的周期内的第1期间内的至少一部分期间内供给。高频电力的功率电平在基板的电位相对较低的周期内的第2期间内降低。在第1期间及第2期间，鞘调节器调节在边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其具备：腔室；基板支承器，具有静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的基板；鞘调节器，构成为调节在配置成包围所述基板的边缘的边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置；高频电源，构成为为了从所述腔室内的气体生成等离子体而产生具有第1频率的高频电力；偏置电源，构成为与所述基板支承器电连接，将偏置电力向所述基板支承器供给；及控制部，构成为控制所述鞘调节器及所述高频电源，所述偏置电力是具有比所述第1频率低的第2频率的高频偏置电力，或者是以作为所述第2频率的重复频率重复地施加到所述基板支承器的负极性的脉冲状的直流电压，在具有该第2频率的倒数的时长的该偏置电力的周期内使所述基板的电位变动，所述控制部进行如下控制：控制所述高频电源，以使在载置于所述静电卡盘上的所述基板的电位高于所述周期内的该电位的平均值的该周期内的第1期间内的至少一部分期间供给所述高频电力，在载置于所述静电卡盘上的所述基板的电位低于所述平均值的所述周期内的第2期间内停止所述高频电力的供给；在所述第1期间及所述第2期间控制所述鞘调节器，以调节所述鞘的上端在所述铅垂方向上的所述位置。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及蚀刻方法
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