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摘要：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：有源区、以及位于有源区表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构；其中，第二栅极结构的形状为开口朝向第一栅极结构的弧形，第三栅极结构的形状为开口朝向第四栅极结构的弧形。
主权项：1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于所述有源区中、且依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；第一栅极结构，位于所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧的所述有源区的表面；第二栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述有源区的表面；第三栅极结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述有源区的表面；第四栅极结构，位于所述第三掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧的所述有源区的表面；其中，所述第二栅极结构的形状为开口朝向所述第一栅极结构的弧形，所述第三栅极结构的形状为开口朝向所述第四栅极结构的弧形；所述第一方向为所述衬底所在平面内任意一个方向。
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