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摘要：本发明公开了一种用于插指形光电二极管电势分析的测试结构与测试方法，包括：n型掺杂形成PD区域，PD区域的周围为p型掺杂，PD区域包括regionB、regionC、regionA，在p型掺杂中包含进行n型重掺杂的SD区域；第一传输晶体管栅极连接regionB与SD区域；第二传输晶体管栅极103连接regionC与SD区域；第三传输晶体管栅极连接regionA与FD区域；复位晶体管栅极连接FD区域与电源信号节点VDD；源极跟随器晶体管的栅极漏极为VDD电源信号节点，源极与行选晶体管的漏极相连；行选晶体管的栅极接SEL信号，源极接信号输出节点Vout信号；SD区域与FD区域之间、FD区域与源极跟随器晶体管的栅极之间均由金属线连接。测试结构结合测试时序，可以分析插指形PD内高电势点与势垒的分布情况，为后续的电荷转移效率优化设计提供参考。
主权项：1.一种用于插指形光电二极管电势分析的测试结构，所述插指形光电二极管包括：n型掺杂形成PD区域101，PD区域的周围为p型掺杂100，所述PD区域101包括两侧上部的regionB和regionC及中下部的regionA，在regionB、regionC与regionA包围的p型掺杂100中包含进行n型重掺杂的SD区域111，其特征在于：第一传输晶体管栅极102接第一传输晶体管开关信号TGB信号，并连接所述regionB与SD区域111；第二传输晶体管栅极103接第二传输晶体管开关信号TGC信号，并连接所述regionC与SD区域111；第三传输晶体管栅极104接第三传输晶体管开关信号TGA信号，并连接所述regionA与FD区域105；复位晶体管栅极106接像素复位信号RST信号，并连接所述FD区域105与电源信号节点VDD107；源极跟随器晶体管漏极为VDD电源信号节点107，源极与行选晶体管的漏极相连；行选晶体管的栅极109接像素行选信号SEL信号，源极110接信号输出节点110Vout信号；SD区域111与FD区域105之间、FD区域105与源极跟随器晶体管的栅极108之间均由金属线连接。
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百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种用于插指形光电二极管电势分析的测试结构与测试方法
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