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摘要:本发明提供了一种增强单量子点三子态辐射的方法,属于半导体发光材料技术领域,包括:制备与银纳米线作用的单量子点样品和单个参考量子点样品;通过脉冲激光器分别激发两个样品,随后通过共聚焦系统分别测量两个样品的光致发光特性,获得两个样品对应的光致发光轨迹和衰减曲线;对得到的衰减曲线进行单指数拟合,获得单激子态和三子态的光致发光寿命,根据三子态和单激子态辐射寿命的比值,确定三子态的辐射强度;通过对比两个样品的光致发光轨迹中三子态的辐射强度及三子态和单激子态辐射强度的比值,确定与银纳米线作用单量子点三子态辐射增强。本发明解决单量子点三子态辐射的过程中会发生俄歇复合,从而造成单量子点三子态辐射强度低的问题。
主权项:1.一种增强单量子点三子态辐射的方法,其特征在于,包括以下步骤:制备与银纳米线作用的单量子点样品和单个参考量子点样品;通过脉冲激光器分别激发所述单个参考量子点样品和所述与银纳米线作用的单量子点样品,随后通过共聚焦系统分别测量两个样品的光致发光特性,获得两个样品对应的光致发光轨迹和衰减曲线;对两个样品所对应的衰减曲线进行单指数拟合,获得单激子态和三子态的光致发光寿命,并根据三子态和单激子态辐射寿命的比值,确定三子态的辐射强度;通过对比所述单个参考量子点样品和所述与银纳米线作用的单量子点样品的光致发光轨迹中三子态的辐射强度及三子态和单激子态辐射强度的比值,确定与银纳米线作用单量子点三子态辐射增强。
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百度查询: 山西医科大学 一种增强单量子点三子态辐射的方法
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