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摘要：本发明涉及一种用于磁共振成像信噪比增强的Fano共振超材料谐振器，包括沿轴向环绕排布在柱面上的超材料单元阵列，每个超材料单元包括衬底及固定在衬底上的螺旋状金属线；螺旋状金属线的首末两端通过可变电容器连接；每个超材料单元被弯曲成弧面，弧面的曲率根据需要进行磁共振聚焦成像的部位的尺寸而确定，根据成像目标区域的大小确定超材料单元的边长和数量；处于磁共振成像目标区域的附近的超材料单元，通过可变电容器的调谐，谐振在磁共振成像的工作频率；其余不处于磁共振成像目标区域的超材料单元通过可变电容器的调谐，谐振频率低于磁共振成像的工作频率，成像目标区域内的磁场强度得到Fano共振的增强。
主权项：1.一种用于磁共振成像信噪比增强的Fano共振超材料谐振器，包括沿轴向环绕排布在柱面上的超材料单元阵列，每个超材料单元包括衬底及固定在衬底上的螺旋状金属线；螺旋状金属线的首末两端通过可变电容器连接；每个超材料单元被弯曲成弧面，弧面的曲率根据需要进行磁共振聚焦成像的部位的尺寸而确定，根据成像目标区域的大小确定超材料单元的边长和数量；处于磁共振成像目标区域的附近的超材料单元，通过可变电容器的调谐，谐振在磁共振成像的工作频率；其余不处于磁共振成像目标区域的超材料单元通过可变电容器的调谐，谐振频率低于磁共振成像的工作频率，成像目标区域内的磁场强度得到Fano共振的增强，从而提高磁共振成像的信噪比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 用于磁共振成像信噪比增强的Fano共振超材料谐振器
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