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一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器 

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申请/专利权人:电子科技大学长三角研究院(湖州)

摘要:本发明提供了一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器,该构由二维拓扑谷光子晶体波导和波导上下两侧的拓扑缺陷腔组成,拓扑直波导和拓扑缺陷腔均由上下两部分不同拓扑性质的圆形谷光子晶体圆孔在介质背景下呈蜂窝状晶格方式周期性排列而形成。波导里的入射光激发出拓扑缺陷腔里的拓扑角态模式,两个角态模式最终干涉耦合形成拓扑Fano共振,形成的Fano共振其Q值为3.3*104,灵敏度为140nmRIU,FOM值为7489,具有高Q值和对缺陷杂质具有鲁棒性的特点。

主权项:1.一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器,其特征在于,所述结构由二维拓扑谷光子晶体直波导和分布在波导两侧的缺陷腔组成,缺陷腔和直波导均是由不同拓扑陈数的拓扑光子晶体拼接形成,整个直波导和缺陷腔受到拓扑保护。

全文数据:

权利要求:

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