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反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器 

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摘要:本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器,其中,反熔丝结构包括:衬底,包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于有源区中、且沿第一方向依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区;第一栅极结构,位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的有源区的表面;第二栅极结构,位于第二掺杂区与第三掺杂区之间的有源区的表面;第三栅极结构,位于第三掺杂区与第四掺杂区之间的有源区的表面;第四栅极结构,位于第四掺杂区与第五掺杂区之间的有源区的表面;第一连接线,位于第一栅极结构上,连接第一掺杂区与第四掺杂区;第二连接线,位于第四栅极结构上,连接第二掺杂区与第五掺杂区。

主权项:1.一种反熔丝结构,其特征在于,包括:衬底,包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于所述有源区中、且沿所述第一方向依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区;第一栅极结构,位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述有源区的表面;第二栅极结构,位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述有源区的表面;第三栅极结构,位于所述第三掺杂区与所述第四掺杂区之间的所述有源区的表面;第四栅极结构,位于所述第四掺杂区与所述第五掺杂区之间的所述有源区的表面;第一连接线,位于所述第一栅极结构上,连接所述第一掺杂区与所述第四掺杂区;第二连接线,位于所述第四栅极结构上,连接所述第二掺杂区与所述第五掺杂区;所述第一方向为所述衬底所在平面内任意一个方向。

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