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摘要：本实用新型公开了一种气相法边缘蚀刻装置，包括下腔体和上腔体；下腔体上设有下放置槽，下放置槽内设有硅片定位件和下隔板；上腔体上对应设有上放置槽，上放置槽内设有与上隔板；当下腔体和上腔体闭合时，下放置槽和上放置槽之间形成用于放置待蚀刻硅片的空间，上隔板和下隔板分别与待蚀刻硅片的上、下表面接触，并将空间分隔为中心非蚀刻区和边缘蚀刻区，边缘蚀刻区设有进气孔和出气孔，进气孔用于向边缘蚀刻区通入蚀刻气体，出气孔用于排出蚀刻后气体。本申请解决了传统边缘蚀刻后背面LTO边缘形貌及贴膜table对硅片正面造成损伤的问题，使得硅片在边缘蚀刻过程中的背面LTO边缘形貌、微刮伤及良率得到有效改善。
主权项：1.一种气相法边缘蚀刻装置，其特征在于，包括能够连接闭合的下腔体和上腔体；所述下腔体上设有下放置槽，所述下放置槽内设有硅片定位件和下隔板；所述上腔体上对应设有上放置槽，所述上放置槽内设有与所述下隔板对应的上隔板；当所述下腔体和所述上腔体闭合时，所述下放置槽和所述上放置槽之间形成用于放置待蚀刻硅片的空间，所述上隔板和所述下隔板分别与所述待蚀刻硅片的上、下表面接触，并将所述空间分隔为中心非蚀刻区和边缘蚀刻区，所述边缘蚀刻区设有进气孔和出气孔，所述进气孔用于向所述边缘蚀刻区通入蚀刻气体，所述出气孔用于排出蚀刻后气体。
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百度查询： 郑州合晶硅材料有限公司 一种气相法边缘蚀刻装置
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