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摘要：本发明提供了一种检测芯片及其制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有凹槽；形成第一牺牲层填充凹槽；形成若干导电沟道，导电沟道至少位于第一牺牲层上；形成绝缘层覆盖衬底、第一牺牲层及导电沟道；在绝缘层中形成至少两个通孔暴露第一牺牲层，利用通孔去除第一牺牲层以形成与导电沟道交汇的通道，通道由通孔及凹槽构成。本发明中，由通孔、衬底中的凹槽及盖设于凹槽上方的绝缘层所形成通道，并在通道中至少部分暴露导电沟道的外壁用于与通道中的流体样品交汇以检测，从而在检测芯片的制备过程中即可同步制备用于流体样品流通的通道，进而达到提高检测芯片的集成度节省后期的封装步骤的效果。
主权项：1.一种检测芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有凹槽；形成第一牺牲层填充所述凹槽；形成若干导电沟道，所述导电沟道至少位于所述第一牺牲层上；形成绝缘层覆盖所述衬底、所述第一牺牲层及所述导电沟道；在所述绝缘层中形成至少两个通孔暴露所述第一牺牲层，利用所述通孔去除所述第一牺牲层以形成与所述导电沟道交汇的通道，所述通道由所述通孔及所述凹槽构成。
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百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 检测芯片及其制备方法
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