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电容结构以及制造方法 

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摘要:本公开实施例提供了一种电容结构以及制造方法。该结构包括:第一衬底,第一衬底设置有凹槽,凹槽贯穿第一衬底;第一衬底包括导电衬底;第二衬底用于支撑第一衬底;介质层,介质层位于凹槽的底面和侧壁以及第一表面;介质层包括第一介质层和第二介质层;第一介质层位于凹槽的底面和侧壁;第二介质层位于第一表面;第二介质层设置有第一通孔;第一通孔的底面露出第一表面;第一导电层,第一导电层至少位于凹槽内的第一介质层远离第一衬底的一侧;第二导电层包括第一导电部和第二导电部;第一导电部与第一衬底电连接;第二导电部与第一导电层电连接。本公开实施例提供的技术方案实现可对电容结构的电容值的精准控制以及提高了电容品质。

主权项:1.一种电容结构,其特征在于,包括:第一衬底,包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一衬底设置有凹槽,所述凹槽贯穿所述第一衬底;所述第一衬底包括导电衬底;第二衬底,所述第二衬底位于所述第二表面远离所述第一表面的一侧,用于支撑所述第一衬底;介质层,所述介质层位于所述凹槽的底面和侧壁以及所述第一表面;所述介质层包括第一介质层和第二介质层;所述第一介质层位于所述凹槽的底面和侧壁;所述第二介质层位于所述第一表面;所述第二介质层设置有第一通孔;所述第一通孔的底面露出所述第一表面;第一导电层,所述第一导电层至少位于所述凹槽内的所述第一介质层远离所述第一衬底的一侧;所述第一导电层充满所述凹槽;第二导电层,所述第二导电层位于所述介质层远离所述第一衬底的一侧;所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部;所述第一导电部穿过所述第一通孔到达所述第一衬底,以实现和所述第一衬底电连接;所述第二导电部的至少部分和所述第一导电层接触,以实现和所述第一导电层电连接。

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