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摘要：本发明公开了一种功率器件的减薄方法，包括：S1：提供衬底；S2：在衬底中注入杂质离子；所述杂质离子经过热处理之后形成腐蚀阻挡层；S3：在衬底正面形成正面器件结构；S4：采用腐蚀液对衬底背面进行湿法腐蚀减薄，且湿法腐蚀在腐蚀阻挡层处停止。本发明提供的一种功率器件的减薄方法，通过湿法腐蚀工艺配合腐蚀阻挡层来确定衬底背面减薄的终点位置，现减薄后衬底厚度一致，且高效精准，来增大衬底的正面有效面积，提升GDPW。
主权项：1.一种功率器件的减薄方法，其特征在于，包括：S1：提供衬底；S2：在衬底中注入杂质离子；所述杂质离子经过热处理之后形成腐蚀阻挡层；S3：在衬底正面形成正面器件结构；S4：采用腐蚀液对衬底背面进行湿法腐蚀减薄，且湿法腐蚀在腐蚀阻挡层处停止。
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百度查询： 旭矽半导体(上海)有限公司 一种功率器件及其减薄方法
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