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摘要：本发明公开了一种VCSEL器件的制作方法及VCSEL器件，利用满足布拉格反射条件的氮气氢气或空气InP周期结构作为适用于InP衬底的N型DBR结构，利用满足布拉格反射条件的具有不同折射率的介质膜周期结构作为P型DBR结构，同时利用隧道结TunnelJunction制作VCSEL器件的P型电极和VCSEL器件的限流结构，使得批量生产长波长VCSEL器件成为可能。
主权项：1.一种VCSEL器件的制作方法，其特征在于，包括：提供InP衬底，所述InP衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有第一外延区和第二外延区；在第一表面上生长外延结构，所述外延结构包括依次生长的缓冲层、N型InGaAsInP周期结构、谐振腔、P型重掺杂层以及N型重掺杂层；刻蚀第二外延区内的外延结构至缓冲层以暴露部分所述缓冲层或刻蚀第二外延区内的外延结构至衬底以暴露部分所述衬底；腐蚀N型InGaAsInP周期结构内的InGaAs层，以自第二外延区向第一外延区延伸方向去除部分InGaAs层，形成空腔；在保护气体环境下，在第二外延区内生长绝缘外延材料，形成绝缘外延结构，以封堵InGaAs层内的空腔并支撑InP层，其中，所述空腔内填充有所述保护气体，所述保护气体与InP层交替设置以形成N型DBR结构；去除部分N型重掺杂层以暴露出P型重掺杂层；在所述P型重掺杂层被暴露的表面以及所述N型重掺杂层的部分表面形成P型电极；在所述P型电极、所述N型重掺杂层以及所述绝缘外延结构上形成P型DBR结构；刻蚀所述P型DBR结构以暴露出部分所述P型电极；在所述InP衬底的第二表面形成N型电极。
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