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摘要：本申请提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；第一浅沟槽隔离结构，位于衬底的第一区域中，第一浅沟槽隔离结构界定出多个第一有源区；第二浅沟槽隔离结构，位于衬底的第二区域中，第二浅沟槽隔离结构围绕第一浅沟槽隔离结构和第一有源区，且第二浅沟槽隔离结构与第一浅沟槽隔离结构间隔设置；多条位线，位于衬底上，位线沿第一方向横跨第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构且沿垂直于第一方向的第二方向间隔排布；至少一虚设位线接触结构，虚设位线接触结构位于第二浅沟槽隔离结构中，且与位线接触。本申请至少解决了位线在周边区倒塌、扭曲，造成器件缺陷及良率损失的问题。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；第一浅沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第一区域中，所述第一浅沟槽隔离结构界定出多个第一有源区；第二浅沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第二区域中，所述第二浅沟槽隔离结构围绕所述第一浅沟槽隔离结构和所述第一有源区，且所述第二浅沟槽隔离结构与所述第一浅沟槽隔离结构间隔设置；多条位线，位于所述衬底上，所述位线沿第一方向横跨所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构且沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔排布；至少一虚设位线接触结构，所述虚设位线接触结构位于所述第二浅沟槽隔离结构中，且与所述位线接触。
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权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件
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