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申请/专利权人：烟台东星磁性材料股份有限公司

摘要：本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。低重稀土磁体由钕铁硼磁体主体合金和低重稀土扩散源制备而成，低重稀土扩散源化学式为RxHyM1‑x‑y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到低重稀土磁体，磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，本发明的有益之处是通过对磁体成分和低重扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。

主权项：1.一种低重稀土磁体，由钕铁硼磁体主体合金和扩散源制备而成，其特征在于：所述扩散源为低重稀土扩散源，所述低重稀土扩散源化学式为RxHyM1-x-y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，x,y为重量百分比，其中10%＜x≤50%，40%＜y≤70%，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布；在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到所述低重稀土磁体，所述低重稀土磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，所述R壳层，R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，所述过渡金属壳层，过渡金属是指Cu、Al、Ga中的至少一种，所述三角区具有以下特征：和或三角区点扫1：NdaFebRcMd，其中R是指Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少3种，a,b,c,d为重量百分数，其中30%≤a≤70%，5%≤b≤40%，5%≤c≤35%，0%≤d≤15%；和或三角区点扫2：NdeFefRgHhKiMj，其中R是指Pr，Ce，La中的至少一种，H是指Dy、Tb中的一种，K是指Ho、Gd中的一种，M是指M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少3种，e,f,g,h,i,j为重量百分数，其中25%≤e≤65%，5%≤f≤35%，5%≤g≤30%，5%≤h≤30%，5%≤i≤10%，0%≤j≤10%；和或三角区点扫3：NdkFelRmDnMo，其中R是指Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，D是指Al、Cu、Ga中至少一种，M是指Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，k,l,m,n,o为重量百分数,其中30%≤k≤70%，5%≤l≤35%，5%≤m≤35%，5%≤n≤25%，0%≤o≤10%；钕铁硼主体合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述钕铁硼合金原料成分含有稀土R重量百分比为28%≤R≤30%，R是指Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中至少两种混合，B重量百分比为0.8%≤B≤1.2%，Gd重量百分比为0%≤Gd≤5%，Ho重量百分比为0%≤Ho≤5%，M百分比为0%≤M≤3%，其中M是指Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中至少一种，剩余成分为Fe，所述的低熔点粉料含有NdCu、NdAl和NdGa，各成分重量百分比为0%≤NdCu≤3%，0%≤NdAl≤3%，0%≤NdGa≤3%。

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