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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种版图DFM方法，包含：步骤1,制作一测试掩膜版，在所述的测试掩膜版上制作测试图形；通过测试掩膜版上的测试图形进行测试晶圆的制作，通过测试晶圆的制作测出所述的测试掩膜版上的测试图形在测试晶圆上形成的实际图形，然后进行外延层的淀积，再对得到的实际图形进行测量得到其与测试掩膜版上对应的原测试图形之间的畸变影响范围A；步骤2，将芯片版图的原主图形边缘产生一个外围的边界；步骤3，将所述的边界边缘外推所述的畸变影响范围A，产生新的禁止区域B，合并到原芯片版图的主图形上；步骤4，在芯片版图的主图形上使用禁止区域B在外延层淀积前的图形层次中进行限制，防止有图形进入到所述的禁止区域B。
主权项：1.一种版图DFM方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1,制作一测试掩膜版，在所述的测试掩膜版上制作测试图形；通过测试掩膜版上的测试图形进行测试晶圆的制作，通过测试晶圆的制作测出所述的测试掩膜版上的测试图形在测试晶圆上形成的实际图形；然后进行外延层的淀积工艺；再对得到的所述的实际图形进行测量得到其与测试掩膜版上对应的原测试图形之间的畸变影响范围A；步骤2，将芯片版图的原主图形边缘产生一个外围的封闭的边界；步骤3，将所述的边界边缘外推所述的畸变影响范围A，产生新的禁止区域B，合并到原芯片版图的主图形上；步骤4，在芯片版图的主图形上使用禁止区域B在外延层淀积前的图形层次中进行限制，防止有图形进入到所述的禁止区域B。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 版图DFM方法
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