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申请/专利权人：苏州实验室
摘要：本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器。该衍射型面发射半导体激光器包括上电极、上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，有源层发射光；有源层的至少一侧设置有半径为R的光学调制结构，光学调制结构的中心区域形成有半径为r的微腔；其中，光学调制结构包括第一环形光栅结构或第一环形光子晶体结构；并且，rR的取值范围为4%～44%。上述衍射型面发射半导体激光器，通过控制微腔与光学调制结构的大小满足上述关系，可以提高基模与高阶模的阈值增益差，从而有利于发散角小、激光光束质量因子小的单模激光优先激射。
主权项：1.一种衍射型面发射半导体激光器，包括上电极、上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，所述有源层发射光；其特征在于，所述有源层的至少一侧设置有半径为R的光学调制结构，所述光学调制结构的中心区域形成有半径为r的微腔；其中，所述光学调制结构包括第一环形光栅结构或第一环形光子晶体结构；并且，rR的取值范围为4%～44%。
全文数据：
权利要求：
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