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申请/专利权人：美商新思科技有限公司
摘要：该专利的独立权利要求表示对实施例的简明描述。公开了一种技术，大致描述了其中，半导体结构包括衬底，该衬底支撑至少一个优选地，多于一个水平定向的纳米片晶体管的列，所述至少一个水平定向的纳米片晶体管各自具有由栅极堆叠材料包覆的半导体晶体纳米片材料优选地，硅或硅合金的相应的沟道区段，其中，所述沟道区段具有金刚石立方晶体结构并且被定向为使得所述{111}平面是水平的。还公开了一种用于制造这种结构的方法以及可以被形成为中间产品的波纹状衬底。该摘要不旨在限制权利要求的范围。
主权项：1.一种半导体结构，包括：水平定向的纳米片晶体管的列，所述纳米片晶体管中的每一个纳米片晶体管具有由栅极堆叠材料包覆的半导体晶体纳米片材料的相应的沟道区段；以及衬底，支撑所述列，其中，半导体晶体纳米片材料的所述沟道区段具有金刚石立方晶体结构，并且所述沟道区段被定向为使得所述纳米片材料的{111}平面是水平的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美商新思科技有限公司 实现一致的纳米线形状的晶体定向工程
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