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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明涉及形成集成芯片的方法。该方法包括在衬底上方形成存储器器件以及在该存储器器件上方形成蚀刻停止层。层间介电ILD层形成在蚀刻停止层上方并且横向地围绕存储器器件。执行一个或多个图案化工艺以限定从ILD层的顶部延伸的第一沟槽以暴露蚀刻停止层的上表面。执行去除工艺以去除蚀刻停止层的暴露部分。在执行去除工艺之后，在互连沟槽内形成导电材料。本发明的实施例还涉及集成芯片。
主权项：1.一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底上方形成存储器器件；在所述存储器器件上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成层间介电ILD层，所述层间介电层横向地围绕所述存储器器件；执行一个或多个图案化工艺，以限定从所述层间介电层的顶部延伸的第一沟槽以暴露所述蚀刻停止层的上表面；执行去除工艺以去除所述蚀刻停止层的暴露部分；以及在执行所述去除工艺之后，在所述第一沟槽内形成导电材料，其中，在执行所述去除工艺之后，所述蚀刻停止层具有沿着所述存储器器件的第一侧的第一上表面和沿着与所述第一侧相对的所述存储器器件的第二侧的第二上表面；以及其中，所述第一上表面和所述第二上表面位于所述衬底上方的不同高度处。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片及其形成方法
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