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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请的各种实施例涉及一种形成将III‑V族器件结合到衬底的集成芯片的方法以及所得集成芯片。在一些实施例中，所述方法包括：形成包括外延堆叠的芯片、位于所述外延堆叠上的金属结构、及位于所述金属结构与所述外延堆叠之间的扩散层；将芯片结合到衬底，以使金属结构位于所述衬底与外延堆叠之间；以及执行向外延堆叠中的刻蚀以形成台面结构，所述台面结构具有与扩散层的侧壁间隔开侧壁。金属结构可例如为在进行结合之前图案化的金属凸块，或者可例如为位于刻蚀停止层上的金属层且穿过所述刻蚀停止层突出到扩散层的金属层。
主权项：1.一种集成芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括半导体衬底、互补金属氧化物半导体CMOS器件以及内连线结构，所述互补金属氧化物半导体CMOS器件位于所述半导体衬底上，所述内连线结构覆盖所述半导体衬底及所述互补金属氧化物半导体器件；台面结构，位于所述衬底上且包含半导体材料；凸块结构，位于所述衬底与所述台面结构之间，其中所述凸块结构包含导电材料；以及扩散层，凹陷到所述台面结构中，位于所述凸块结构与所述台面结构之间，其中所述扩散层包含分别来自所述台面结构及所述凸块结构的半导体材料及导电材料，且所述扩散层的侧壁从所述台面结构的侧壁间隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片
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