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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第四十一研究所
摘要:本发明公开了一种沟槽波导结构的片上稳频气室及其稳频方法,属于稳频激光器气室设计领域,本发明利用CMOS工艺平台,可以实现稳频气室的微型化,使得激光器系统的体积大幅减小;沟槽波导结构可以提供更好的光限制和更低的光损耗,使光更充分的与气体接触发生饱和吸收效应,从而提升激光的频率稳定性;相对于传统的稳频激光器气室,基于沟槽波导结构的气室可以通过集成制造来降低成本,使其更适合大规模生产和商业应用;沟槽波导结构可以与其他光学元件,如调制器、探测器等集成在同一芯片上,这有助于实现更高水平的功能集成和系统简化。
主权项:1.一种沟槽波导结构的片上稳频气室,其特征在于:包括一个长方体的腔体,其内部充有密封气体,腔体内设置有第一直波导、第二直波导和沟槽波导,第一直波导、沟槽波导、第二直波导依次通过锥形结构波导连接。
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百度查询: 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种沟槽波导结构的片上稳频气室及其稳频方法
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