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申请/专利权人:奇瑞汽车股份有限公司
摘要:本发明属于短路保护电路技术领域,公开了一种使用退饱和逻辑控制的短路保护电路及系统,包括上下桥退饱和电压采样单元、上下桥退饱和电压比较单元、上下桥退饱和高低压信号隔离整合单元、上下桥退饱和低压信号驱动整合单元和主功率单元。本发明通过在碳化硅MOSFET每相上下桥的退饱和判断电路的输出端增加与门电路,使只有上桥和下桥都触发退饱和时,才会真正触发短路保护,当只有上桥或者下桥单个MOSFET管触发退饱和时,短路保护时间依然遵循现有的保护参数,即避免由于碳化硅的快速开通以及系统杂讯的干扰导致的误报。
主权项:1.一种使用退饱和逻辑控制的短路保护电路,其特征在于,包括上下桥退饱和电压采样单元、上下桥退饱和电压比较单元、上下桥退饱和高低压信号隔离整合单元、上下桥退饱和低压信号驱动整合单元和主功率单元;上下桥退饱和电压采样单元用于采集碳化硅功率模块的源漏极电压,将采集到的碳化硅功率模块的源漏极电压发送到上下桥退饱和电压比较单元,判断退饱和电压是高电平或低电平;上下桥退饱和高低压信号隔离整合单元用于整合上下桥退饱和电压比较单元的输出信号;上下桥退饱和低压信号驱动整合单元用于接收上下桥退饱和高低压信号隔离整合单元整合后的信号输入,将直流电逆变成三相输出。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 奇瑞汽车股份有限公司 一种使用退饱和逻辑控制的短路保护电路及系统
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