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申请/专利权人：澳门科技大学
摘要：本申请提供了一种用于测试半导体带隙的结构及方法，其中用于测试半导体带隙的结构包括：空白背底；粘性层，设于所述空白背底，所述粘性层远离所述空白背底的一侧用于承载、并粘附半导体材料；其中，所述粘性层具有双面黏附性和弹性。本申请提供的一种用于测试半导体带隙的结构及方法，通过在空白背底上设置具有双面粘附性的粘性层，只需要少量的粉末就能覆盖住粘性层，可以顺利完成测试，节省了样品用量，厚度可重复性更高，相应地测试结果的准确度和可重复性也更高。
主权项：1.一种用于测试半导体带隙的结构，其特征在于，包括：空白背底；粘性层，设于所述空白背底，所述粘性层远离所述空白背底的一侧用于承载、并粘附半导体材料；其中，所述粘性层具有双面黏附性和弹性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 澳门科技大学 用于测试半导体带隙的结构及方法
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