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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明公开了一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，涉及集成电路技术领域，包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路；所述启动电路包括PMOS管：PM3、PM4与PM5、NMOS管：NM1、NM2、NM3与NM4和电阻：R7、R8、R9与R10，所述基准核心电路包括PMOS管：PM1、PM2，NPN管：Q1、Q2和电阻：R1、R2、R3与R4，所述反馈电路包括PMOS管：PM6、PM7、PM8、PM9与PM10，NMOS管：NM5、NM6、NM7、NM8和电阻：R5与R6。该面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，具有功耗低、精度高和版图面积小的优点，可以为宽输入电压范围LDO提供高精度的基准电压和稳定的低压电源轨。
主权项：1.一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，其特征在于：包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路；所述启动电路包括PMOS管：PM3、PM4与PM5、NMOS管：NM1、NM2、NM3与NM4和电阻：R7、R8、R9与R10，所述基准核心电路包括PMOS管：PM1、PM2，NPN管：Q1、Q2和电阻：R1、R2、R3与R4，所述反馈电路包括PMOS管：PM6、PM7、PM8、PM9与PM10，NMOS管：NM5、NM6、NM7、NM8和电阻：R5与R6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路
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